Samsung Umumkan Galaxy S10 Plus Dibekali Memori Internal 1 TB

SEOUL - Samsung Electronics mengumumkan kehadiran 1 TB eUFS 2.1 sebagai yang pertama di industri smartphone . Ada kemungkinan Galaxy S10 + (Plus) menjadi perangkat pertama yang menggunakannya.Chip ini telah memasuki produksi massal sehingga masuk akal jika handphone premium generasi mendatang bakal menampilkan memori megabesar tersebut. Menariknya, ukuran chip eUFS 1 TB hanya sebesar chip 512 GB yang sebelumnya diproduksi oleh Sammy -sebutan Samsung- yakni 11,5 x 13 mm.
Chip menahan dua kali lipat kapasitas penyimpanan dengan menggabungkan 16 lapisan memori flash V-NAND yang ditumpuk dan pengontrol yang baru dikembangkan. Hebatnya lagi, Samsung mampu membuat perolehan kecepatan yang substansial juga terhadap daya baca dan tulis dari chip itu.

Laman GSM Arena, Rabu (30/1/2019), menyebutkan, chip baru ini menawarkan kecepatan baca sekuensial hingga 1.000 MB/s dengan kecepatan tulis sekuensial 260 MB/s. Sebagai catatan, SSD SATA 2,5 inci standar memiliki kecepatan baca sekitar 540 MB/s. Dengan demikian, kemampuan chip memory terbaru milik Samsung ini sangat mengesankan.

Pihak Samsung mengklaim, dibandingkan dengan penyimpanan 512 GB generasi sebelumnya, kecepatan baca acak chip 1TB telah meningkat sebesar 38%.

Berikut tabel perbandingan berbagai solusi memori internal dan kinerjanya:
Memory Sequential Read Sequential Write Random Read Random Write
1TB eUFS 2.1 1.000 MB/s 260 MB/s 58.000 IOPS 50.000 IOPS
512GB eUFS 2.1 860 MB/s 255 MB/s 42.000 IOPS 40.000 IOPS
Kartu UFS 256 GB 530 MB/s 170 MB/s 40.0000 IOPS 35.000 IOPS
256 eUFS 2.0 850 MB/s 260 MB/s 45.000 IOPS 40.000 IOPS
128GB eUFS 2.0 300 MB/s 150 MB/s 19.000 IOPS 14.000 IOPS